IRGR4607DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 11А [D-Pak]

Артикул: IRGR4607DPBF
Ном. номер: 9000217594
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRGR4607DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 11А [D-Pak]
Фото 2/5 IRGR4607DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 11А [D-Pak]Фото 3/5 IRGR4607DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 11А [D-Pak]Фото 4/5 IRGR4607DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 11А [D-Pak]Фото 5/5 IRGR4607DPBF, Транзистор, IGBT с диодом, N-канал, 600В, 11А [D-Pak]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
76 руб. × = 76 руб.
от 3 шт. — 52 руб.
от 30 шт. — 50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Single IGBT up to 20A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response which provide the user with the highest efficiency available. These devices utilise FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBTs

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.75
Управляющее напряжение,В
6.5
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-40…175
Корпус

Техническая документация

irgs4607dpbf Datasheet
pdf, 754 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRGR4607DPBF
IGBT Chip N-Channel 600V 11A DPAK IRGR4607DPBF
IRGR4607DPbF, IRGS4607DPbF, IRGB4607DPbF, Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 600V 7A IRGR4607DPBF