IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK]

Ном. номер: 9000617729
Артикул: IRL540NSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/4 IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK]
Фото 2/4 IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK]Фото 3/4 IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK]Фото 4/4 IRL540NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 36А [D2-PAK]
62 руб.
44 руб.
1541 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 40 руб.
от 150 шт. — 39 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 44 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
36 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
140 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
11.3mm
Forward Transconductance
14s
Height
4.83mm
Dimensions
10.67 x 11.3 x 4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Brand
Infineon
Typical Turn-Off Delay Time
39 ns
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Drain Source Resistance
63 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pin Count
3
Category
Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
74 nC @ 5 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
1800 pF @ 25 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Вес, г
2.5

Техническая документация

irl540nspbf
pdf, 913 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRL540NSTRLPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов