IRLML2244TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 4.3А [Micro3 / SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 руб.
Описание
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 12 В до 20 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.054 Ом/4.3А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 6.5 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1.1 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLML2244PBF
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают