IRLR024N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
81 руб.
от 100 шт. —
61.88 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 55V, 17A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po
Технические параметры
Корпус | TO-252-3 | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Время | задержки включения/выключения-7.1/20 нс | |
Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
Заряд | затвора(Qg)-15 нКл | |
Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±16 В | |
Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-17 A | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-45 Вт | |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1 В | |
Описание | 55V, 17A N-Channel MOSFET | |
Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-65 мОм | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал | |
Упаковка | REEL, 2000 шт. | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 314 КБ
IRLR024NPBF Datasheet
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов