Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRLR024N

IRLR024N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 110 руб.

от 10 шт. — 81 руб.

от 100 шт. — 61.88 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 320 руб.

Номенклатурный номер: 8002026754

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N CH, 55V, 17A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po

Технические параметры

Корпус	TO-252-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Время	задержки включения/выключения-7.1/20 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Заряд	затвора(Qg)-15 нКл
Максимально допустимое напряжение	сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±16 В
Максимальный ток	Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-17 A
Мощность	рассеиваемая(Pd)-45 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-1 В
Описание	55V, 17A N-Channel MOSFET
Сопротивление	сток-исток открытого транзистора(Rds)-65 мОм
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	МОП-Транзистор, кремниевый, 1 N-канал
Упаковка	REEL, 2000 шт.
Вес, г	0.4