Мой регион: Россия

IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]

Ном. номер: 9000355359
Артикул: IRLR3410TRPBF
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]
Фото 2/4 IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]Фото 3/4 IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]Фото 4/4 IRLR3410TRPBF, Транзистор N-CH 100V 17A, [D-PAK]
28 руб.
1400 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 23 руб.
от 150 шт. — 22 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 28 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The IRLR3410TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Dynamic dV/dt rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…2
Вес, г
0.4

Техническая документация

irlr3410pbf
pdf, 285 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLR3410TRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.