IRSM807-105MH, IPM MODULE, MOSFET, 500V, 10A, QFN-EP

IRSM807-105MH, IPM MODULE, MOSFET, 500V, 10A, QFN-EP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
670 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 680 руб.
Номенклатурный номер: 8220315782
Артикул: IRSM807-105MH

Описание

Полупроводники - Дискретные\Умные Модули Питания

• Integrated gate drivers and bootstrap functionality
• Suitable for sinusoidal modulation applications
• Low RDS(on) Trench FREDFET
• Under-voltage lockout for both channels
• Matched propagation delay for all channels
• Optimized dV/dt for loss and EMI trade offs
• 3.3V input logic compatible
• Active high HIN and LIN, motor power range from 80 to 200W
• Isolation 1500VRMS minimum
• PQFN package, maximum operating junction temperature is 150°C

Технические параметры

Линейка Продукции CIPOS Nano
Напряжение Изоляции 1.5кВ
Номинальное Напряжение (Vces / Vdss) 500В
Серия Интеллектуального Модуля Питания (IPM) CIPOS Nano
Стиль Корпуса Интеллектуального Модуля Питания QFN-EP
Ток (Ic / Id) 10А
Управляющее Устройство Умного Модуля Питания МОП-транзистор
Applications AC Motors
Base Product Number IRSM807 ->
Current - Output / Channel 10A
ECCN EAR99
Fault Protection UVLO
Features Bootstrap Circuit
HTSUS 8542.39.0001
Interface Logic
Load Type Inductive
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Output Configuration Half Bridge
Package Tray
Package / Case 31-PowerVQFN
Rds On (Typ) 580mOhm
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series ВµIPMв„ў ->
Supplier Device Package 31-PQFN (8x9)
Technology UMOS
Voltage - Load 400V (Max)
Voltage - Supply 13.5V ~ 16.5V
Вес, г 0.26

Техническая документация

Datasheet
pdf, 943 КБ
Datasheet IRSM807-105MH
pdf, 940 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы Full и Half-Bridge»
Типы корпусов импортных микросхем