IS25LP512M-RMLE, Флеш память, Последовательная NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, SPI, SOIC, 16 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 270 руб.
от 10 шт. —
2 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 270 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Технические параметры
| Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
| Конфигурация Флэш-памяти | 64М x 8бит |
| Линейка Продукции | 3V Serial NOR Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 105°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.3В |
| Размер Памяти | 512Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | SOIC |
| Тактовая Частота | 133МГц |
| Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
| Тип Интерфейса ИС | SPI |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.64 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2176 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
