IS42S16160G-7TLI, Микросхема памяти, SDRAM, 256Mb (16M x 16), Parallel, 143MHz, 5.4ns [TSOPII-54]

Ном. номер: 9000469484
Артикул: IS42S16160G-7TLI
Производитель: Integrated Silicon Solution
Фото 1/3 IS42S16160G-7TLI, Микросхема памяти, SDRAM, 256Mb (16M x 16), Parallel, 143MHz, 5.4ns [TSOPII-54]
Фото 2/3 IS42S16160G-7TLI, Микросхема памяти, SDRAM, 256Mb (16M x 16), Parallel, 143MHz, 5.4ns [TSOPII-54]Фото 3/3 IS42S16160G-7TLI, Микросхема памяти, SDRAM, 256Mb (16M x 16), Parallel, 143MHz, 5.4ns [TSOPII-54]
540 руб.
136 шт. со склада г.Москва,
срок 4 рабочих дня
от 6 шт. — 330 руб.
от 12 шт. — 299 руб.
от 23 шт. — 278 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
530 руб. 3 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 490 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The IS42S16160G-7TLI is a 256Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 256Mb SDRAM is organized as 4M x16x4 banks, 54-pin TSOPII and 54-ball BGA. The 256Mb SDRAM is a high speed CMOS, dynamic random-access memory designed to operate in 3.3V Vdd and 3.3V Vddq memory systems containing 268.435.456 bits. Internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface. Each 67.108.864-bit bank is organized as 8.192 rows by 512 columns by 16 bits or 8.192 rows by 1.024 columns by 8 bits. The 256Mb SDRAM includes an AUTO REFRESH MODE and a power-saving, power-down mode. All signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK. All inputs and outputs are LVTTL compatible.

• 143MHz Clock frequency
• 7ns Speed
• Fully synchronous, all signals referenced to a positive clock edge
• Internal bank for hiding row access/precharge
• 3.3 ±0.3V Single power supply
• LVTTL interface
• Programmable burst length - 1, 2, 4, 8, full page
• Sequential/Interleave programmable burst sequence
• Auto refresh (CBR)
• Self refresh
• 8K Refresh cycles every 16ms (A2 grade) or 64ms (commercial, industrial, A1 grade)
• Random column address every clock cycle
• Programmable CAS latency - 2, 3 clocks
• Burst read/write and burst read/single write operations capability
• Burst termination by burst stop and precharge command

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
22.42мм
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Производитель
ISSI
Объем памяти
256Мбит
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина шины данных
16бит
Максимальное время произвольного доступа
5.4нс
Ширина
10.29мм
Скорость передачи данных
143МГц
Организация
16M x 16 бит
Высота
1.05мм
Ширина адресной шины
15бит
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Число контактов
54
Размеры
22.42 x 10.29 x 1.05мм
Количество слов
16M
Количество бит на слово
16бит
Вес, г
2.8

Техническая документация

42-45S83200G-16160G
pdf, 1036 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IS42S16160G-7TLI
SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.