IS61WV51216EDBLL-10TLI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 руб.
от 10 шт. —
1 430 руб.
от 30 шт. —
1 250 руб.
от 135 шт. —
1 092.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 720 руб.
Описание
SRAM - микросхема асинхронной памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Технические параметры
| Access Time | 10ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 8Mb (512K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Interface Type | Parallel |
| Operating Supply Voltage | 2.4V ~ 3.6V |
| Время Доступа | 10нс |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.4В до 3.6В |
| Количество Выводов | 44вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 512К x 16бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Размер Памяти | 8Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Техническая документация
Datasheet IS61WV51216EDBLL-10TLI
pdf, 587 КБ
Datasheet IS61WV51216EDBLL-10TLI
pdf, 837 КБ
