ISL80112IRAJZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
640 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The Renesas Electronics Low Input Voltage NMOS LDOs ultra low dropout LDOs providing the optimum balance between performance, size and power consumption in size constrained designs for data communication, computing, storage and medical applications.
Технические параметры
| Dropout Voltage Typ @ Current | 0 |
| IC Case / Package | DFN-EP |
| Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Adj 2A LDO Voltage Regulators |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Входное Напряжение | 3.6В |
| Максимальное Выходное Напряжение | 3.3В |
| Максимальный Выходной Ток | 2А |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Входное Напряжение | 700мВ |
| Минимальное Выходное Напряжение | 500мВ |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Accuracy | 1.6% |
| Load Regulation | 0.4% |
| Maximum Output Current | 2A |
| Output Voltage | 0.5 → 3.3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1089 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
