IXBF20N300, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 34А, 150Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 760 руб.

от 3 шт. — 13 400 руб.

от 10 шт. — 12 170 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 760 руб.

Номенклатурный номер: 8007714990

Артикул: IXBF20N300

Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 34А, 150Вт Характеристики

Pd - рассеивание мощности	150 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	21.34 mm
Длина	20.29 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	BIMOSFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	3 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	34 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	34 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	25
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	ISOPLUS-i4-3
Ширина	5.21 mm
Вес, г	2