IXBT42N170, БТИЗ транзистор, 80 А, 2.8 В, 360 Вт, 1.7 кВ, TO-268 (D3PAK), 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 шт., срок 8-10 недель
7 600 руб.
от 5 шт. —
7 060 руб.
от 10 шт. —
6 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 600 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
High voltage, high gain BIMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in switched-mode and resonant-mode power supplies, Uninterruptible power supplies (UPS), laser generator, capacitor discharge circuit, AC switches applications.
• High blocking voltage
• Low conduction losses
• Low gate drive requirement
• High power density
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.8В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 360Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BiMOSFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-268(D3PAK) |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
