IXFA3N120, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 1.2 кВ, 3 А, 4.5 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 410 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 240 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 820 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 3А, 200Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 4.5Ом |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HiPerFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4.5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Case | TO263 |
| Drain current | 3A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 39nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Polarisation | unipolar |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IXFA3N120
pdf, 612 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
