IXFB150N65X2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 150 А, 0.017 Ом, PLUS264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 8-10 недель
8 630 руб.
от 5 шт. —
8 020 руб.
от 10 шт. —
7 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 630 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It is suitable for use in DC-DC converters, battery charger, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, robotics and servo controls applications.
• X2-Class HiPerFET™ power MOSFET
• Low QG
• High power density
• Easy to mount
• Space savings
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.017Ом |
| Power Dissipation | 1.56кВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | X2-Class HiPerFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 150А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PLUS264 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
