IXFH15N100Q3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 1 кВ, 15 А, 1.05 Ом, TO-247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 270 руб.

от 5 шт. — 4 000 руб.

от 10 шт. — 3 790 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 270 руб.

Номенклатурный номер: 8004136247

Артикул: IXFH15N100Q3

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Описание Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 1кВ, 15А, 690Вт, TO247-3 Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.05Ом
Power Dissipation	690Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	Q3-Class HiperFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	1кВ
Непрерывный Ток Стока	15А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	6.5В
Рассеиваемая Мощность	690Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.05Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	15 A
Maximum Drain Source Resistance	1.05 Ω
Maximum Drain Source Voltage	1000 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	6.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	690 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Series	HiperFET, Q-Class
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	64 nC @ 10 V
Width	5.3mm
Вес, г	6.12