IXFH50N60P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 1040Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 440 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 1040Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 145 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.04 kW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Q3-Class |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
Width | 5.3mm |
Вес, г | 7.99 |