Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Ixys › IXFK150N30P3, МОП-транзистор, N Канал, 150 А ...

IXFK150N30P3, МОП-транзистор, N Канал, 150 А, 300 В, 0.019 Ом, 10 В, 5 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 610 руб.

от 5 шт. — 4 290 руб.

от 10 шт. — 4 110 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 610 руб.

Номенклатурный номер: 8299469149

Артикул: IXFK150N30P3

Бренд: Ixys Corporation

Описание

МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	150 А
Тип корпуса	TO-264
Максимальное рассеяние мощности	1.3 kW
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	5.13мм
Высота	26.16мм
Размеры	19.96 x 5.13 x 26.16мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	19.96мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	44 нс
Производитель	IXYS
Типичное время задержки выключения	74 ns
Серия	HiperFET, Polar3
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	5
Максимальное сопротивление сток-исток	19 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	300 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	197 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	12100 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки	150 A
Pd - рассеивание мощности	1.3 mW
Qg - заряд затвора	197 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	19 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	300 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	25
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-264-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	150 A
Maximum Drain Source Resistance	19 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	300 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.3 kW
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-264
Pin Count	3
Series	HiperFET, Polar3
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	197 nC @ 10 V
Width	5.13mm
Вес, г	10