IXFT120N30X3HV, MOSFET, 120A, 300V, 735W, TO-268HV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 8-10 недель
4 480 руб.
от 5 шт. —
4 160 руб.
от 10 шт. —
3 980 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 480 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor control, PFC circuits, robotics and servo controls application.
• Low RDS(ON) and QG
• Low package inductance
• High power density
• Easy to mount
• Space savings
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0086Ом |
| Power Dissipation | 735Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | X3-Class HiPerFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 300В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-268HV |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
