IXGH6N170, IGBT Transistors 12 Amps 1700 V 4 V Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 570 руб.
от 10 шт. —
2 990 руб.
от 30 шт. —
2 720 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 570 руб.
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 6 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247AD |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.5 |
