IXTH24P20, MOSFET, P-CH, 200V, 24A, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 шт., срок 8-10 недель
3 300 руб.
от 25 шт. —
2 740 руб.
от 100 шт. —
2 160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 300 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, P-CH, 200V, 24A, TO-247; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:24A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thresho 03AH1489
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.15Ом |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 24А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Fall Time | 28 ns |
| Forward Transconductance - Min | 10 S |
| Height | 21.46 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -24 A |
| Length | 16.26 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 150 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| Rise Time | 29 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXTH24P20 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | Standard Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 36 ns |
| Unit Weight | 0.229281 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -5 V |
| Width | 5.3 mm |
| Вес, г | 7.94 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 623 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
