IXTH6N50D2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 6 А, 0.55 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 шт., срок 8-10 недель
2 280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 120 руб.
от 10 шт. —
2 010 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 560 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
• Normally ON mode
• Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.55Ом |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 0В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
