IXTH8P50, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 500 В, 8 А, 1.2 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
274 шт., срок 8-10 недель
2 320 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 160 руб.
от 10 шт. —
2 050 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 640 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
P-channel enhancement mode avalanche rated standard power MOSFET suitable for use in high-side switches, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment applications.
• Low RDS(ON) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance (< 5nH)- easy to drive and to protect
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.2Ом |
| Power Dissipation | 180Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 8А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet IXTH8P50
pdf, 563 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
