IXTN110N20L2, МОП-транзистор, N Channel, 100 А, 200 В, 0.024 Ом, 10 В, 4.5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
12 380 руб.
от 5 шт. —
11 850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 380 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Модули МОП-транзисторов
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
• Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
• Designed for linear operation
• Guaranteed FBSOA at 75°C
• Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
• MiniBLOC with aluminium nitride isolation
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Power Dissipation | 735Вт |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 735Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IXTN110N20L2
pdf, 162 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
