Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs) › Ixys › IXTP24N65X2M, Силовой МОП-транзистор ...

IXTP24N65X2M, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 24 А, 0.145 Ом, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

940 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 840 руб.

от 100 шт. — 631 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 820 руб.

Номенклатурный номер: 8003717365

Артикул: IXTP24N65X2M

Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Описание Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 24А, 37Вт, TO220FP Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.145Ом
Power Dissipation	37Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	X2-Class
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	24А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Рассеиваемая Мощность	37Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.145Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220
Id - непрерывный ток утечки	24 A
Pd - рассеивание мощности	390 W
Qg - заряд затвора	36 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	145 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	25 ns
Время спада	19 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Продукт	Power MOSFET Modules
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип	X2-Class
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	50 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.2