KSA708YBU, KSA708YBU PNP Transistor, -700 mA, -60 V, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 1 800 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
Maximum DC Collector Current | -700 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -8 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 800 mW |
Minimum DC Current Gain | 120 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.7 mm |
Длина | 4.7 mm |
Другие названия товара № | KSA708YBU_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.7 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | KSA708 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 3.93 mm |
Collector Emitter Voltage Max | 60В |
Continuous Collector Current | 700мА |
DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
Power Dissipation | 800мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 50МГц |