KSB1366GTU, KSB1366GTU PNP Transistor, -3 A, -60 V, 3-Pin TO-220F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 16 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220F |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
