KSC1008CYTA, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 700 мА, 800 мВт, TO-92, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
44 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 3 300 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Описание 60V 800mW 700mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 60В |
Continuous Collector Current | 700мА |
DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
Power Dissipation | 800мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | KSC1008 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
Частота Перехода ft | 30МГц |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.7 mm |
Длина | 4.7 mm |
Другие названия товара № | KSC1008CYTA_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.7 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | KSC1008 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Ammo Pack |
Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
Ширина | 3.93 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum DC Collector Current | 700 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 8 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 800 mW |
Minimum DC Current Gain | 120 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов