Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › KSD882YSTU, Биполярный транзистор, NPN, 30 В ...

KSD882YSTU, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А, 10 Вт, TO-126, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

190 руб.

Мин. кол-во для заказа 14 шт.

от 100 шт. — 123 руб.

Добавить в корзину 14 шт. на сумму 2 660 руб.

Номенклатурный номер: 8000429400

Артикул: KSD882YSTU

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	30В
Continuous Collector Current	3А
DC Current Gain hFE Min	160hFE
DC Усиление Тока hFE	160hFE
Power Dissipation	10Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	TO-126
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	90МГц
Pd - рассеивание мощности	10 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	11 mm
Длина	8 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	60
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	90 MHz
Размер фабричной упаковки	1920
Серия	KSD882
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-126-3
Ширина	3.25 mm
Вес, г	0.4