KSP13BU, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 125 МГц, 625 мВт, 500 мА, 10000 hFE

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

97 руб.

Мин. кол-во для заказа 30 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 41 руб.

Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 910 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8372116634

Артикул: KSP13BU

Описание Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 625мВт, TO92 Характеристики

Brand	ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min	5000
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V
Factory Pack Quantity	1000
Height	4.7 mm
Length	4.7 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Collector Cut-off Current	0.1 uA
Maximum DC Collector Current	0.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-92
Packaging	Bulk
Part # Aliases	KSP13BU_NL
Product Category	Darlington Transistors
RoHS	Details
Series	KSP13
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.006314 oz
Width	3.93 mm
Maximum Collector Base Voltage	30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum Continuous Collector Current	500 mA
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Power Dissipation	625 mW
Minimum DC Current Gain	5000
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-92
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.4