KST5551MTF
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
49 руб.
от 10 шт. —
32 руб.
от 100 шт. —
16.01 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO | 180 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 160 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 |
| DC Current Gain hFE Max | 250 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 300 MHz |
| Height | 0.93 mm |
| Length | 2.92 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | KST5551MTF_NL |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | KST5551 |
| Transistor Polarity | NPN |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Width | 1.3 mm |
| Вес, г | 0.4 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
