MB85RS128BPNF-G-JNE1, NVRAM, FRAM, 128 Кбит, 16К x 8бит, SPI, SOP
см. техническую документацию
Описание
The MB85RS128BPNF-G-JNE1 is a 128-Kbit SPI Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip in a configuration of 16384 words x 8-bit, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85RS128B is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85RS128B can be used for 10¹² read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E²PROM. MB85RS128B does not take long time to write data like Flash memories or E²PROM and MB85RS128B takes no wait time.
• Data retention - 10 years
• Operating power supply voltage - 2.7 to 3.6V
• Low power consumption
Технические параметры
Тип памяти | FRAM | |
Время Доступа | - | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Конфигурация Памяти NVRAM | 16К x 8бит | |
Линейка Продукции | - | |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 2.7В | |
Размер Памяти | 128Кбит | |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | SOP | |
Тип Интерфейса ИС | SPI | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов | |
Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.