MCR12DSMT4G, SCR Diode 600V 12A(RMS) 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

MCR12DSMT4G, SCR Diode 600V 12A(RMS) 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5000 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт.110 руб.
Добавить в корзину 2500 шт. на сумму 300 000 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017322939
Артикул: MCR12DSMT4G
Бренд: Littelfuse

Описание

Semiconductor - Discrete > Discrete > SCRs
Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В

Технические параметры

Brand: Littelfuse
Breakover Current IBO Max: 100 A
Current Rating: 7.6 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gate Trigger Current - Igt: 200 uA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 1 V
Holding Current Ih Max: 6 mA
Manufacturer: Littelfuse
Maximum Gate Peak Inverse Voltage: 18 V
Maximum Operating Temperature: +110 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current: 100 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 10 uA
On-State RMS Current - It RMS: 12 A
Package / Case: DPAK-2(TO-252-2)
Product Category: SCRs
Product Type: SCRs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 600 V
Series: MCR12DSM
Subcategory: Thyristors
Type: SCR
Vf - Forward Voltage: 1.9 V

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Тиристоры»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.