MCR12DSMT4G, SCR Diode 600V 12A(RMS) 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5000 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
110 руб.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 300 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Discrete > SCRs
Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В
Технические параметры
Brand: | Littelfuse |
Breakover Current IBO Max: | 100 A |
Current Rating: | 7.6 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gate Trigger Current - Igt: | 200 uA |
Gate Trigger Voltage - Vgt: | 1 V |
Holding Current Ih Max: | 6 mA |
Manufacturer: | Littelfuse |
Maximum Gate Peak Inverse Voltage: | 18 V |
Maximum Operating Temperature: | +110 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Non Repetitive On-State Current: | 100 A |
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: | 10 uA |
On-State RMS Current - It RMS: | 12 A |
Package / Case: | DPAK-2(TO-252-2) |
Product Category: | SCRs |
Product Type: | SCRs |
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: | 600 V |
Series: | MCR12DSM |
Subcategory: | Thyristors |
Type: | SCR |
Vf - Forward Voltage: | 1.9 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1210 КБ
TS106-142
pdf, 141 КБ
Отечественные тиристоры и симисторы мощные
pdf, 515 КБ
Тиристоры отечественные
pdf, 384 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Тиристоры»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.