MJ802G, BJT,NPN,30A,90V,TO-204-2

PartNumber: MJ802G
Ном. номер: 8038928424
Производитель: ON Semiconductor
MJ802G, BJT,NPN,30A,90V,TO-204-2
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
370 руб. × = 740 руб.
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 280 руб.
от 20 шт. — 245 руб.

Описание

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Bipolar Transistors

Semiconductors

Технические параметры

конфигурация
Single
Dimensions
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Voltage
90 V
Maximum DC Collector Current
30 A
Maximum Emitter Base Voltage
4 V
Maximum Operating Temperature
+200 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
200 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
TO-204AA
Pin Count
2
Width
26.67mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.8 V
Minimum DC Current Gain
25
Transistor Type
NPN
высота
8.51mm
длина
39.37mm
тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

High−Power NPN Silicon Transistor Datasheet MJ802G