MJB45H11G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 10 А, 2 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
220 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V dc |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Minimum DC Current Gain | 60 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK |
| Pin Count | 2+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 2.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 109 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
