MJD112G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

90 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 29 шт. — 73 руб.

от 75 шт. — 67 руб.

от 150 шт. — 62 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 540 руб.

Посмотреть аналоги3

Номенклатурный номер: 8994472026

Артикул: MJD112G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт

Корпус	DPAK/TO-252AA
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Minimum DC Current Gain	1000
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Width	6.22mm
Base-Emitter Saturation Voltage (Max)	4(V)
Collector Current (DC)	2(A)
Collector-Base Voltage	100(V)
Collector-Emitter Saturation Voltage	2(V)
Collector-Emitter Voltage	100(V)
Configuration	Single
DC Current Gain	500
Emitter-Base Voltage	5(V)
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-65C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Packaging	Rail/Tube
Polarity	NPN
Power Dissipation	1.75(W)
Rad Hardened	No
Вес, г	0.6