MJD31CG, Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 15Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

Кратность заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 600 руб.

Номенклатурный номер: 8024376153

Артикул: MJD31CG

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 15Вт, DPAK Характеристики

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	75
Gain Bandwidth Product fT	3 MHz
Height	2.38 mm
Length	6.73 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	1.56 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	MJD31C
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.01411 oz
Width	6.22 mm
Вес, г	0.4