MJD42CT4G, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

88 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 30 шт. — 71 руб.

от 60 шт. — 66 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 528 руб.

Номенклатурный номер: 8024152330

Артикул: MJD42CT4G

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт

Корпус	DPAK/TO-252AA
Brand:	onsemi
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	6 A
DC Collector/Base Gain hFE Min:	30
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Gain Bandwidth Product fT:	3 MHz
Manufacturer:	onsemi
Maximum DC Collector Current:	6 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	20 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	MJD42C
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Maximum Collector Base Voltage	100 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage	-100 V
Maximum DC Collector Current	-6 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	1 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	20 W
Minimum DC Current Gain	15
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.4