MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126]
![Фото 1/6 MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126]](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278801.jpg)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 руб.
от 15 шт. —
58 руб.
от 150 шт. —
50.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 69 руб.
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 832117974
Артикул: MJE350G
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 0.5A 300V 20W PNP
Технические параметры
| Структура | pnp | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 300 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 | |
| Корпус | to-126 | |
| Вес, г | 0.9 | |
Техническая документация
Datasheet MJE350G
pdf, 196 КБ
MJE350G
pdf, 159 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
