MMBT2222AWT1G, BJT транзистор NPN 40В 0.6А SOT23 (SC-70-3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
от 5 шт. —
2 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 руб.
Описание
The MMBT2222AWT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Package saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
Стандарты Автомобильной Промышленности | aec-q101 |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 40в |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-323 |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 600ма |
DC Усиление Тока hFE | 35hFE |
Частота Перехода ft | 300мгц |
Линейка продукции | mmbtxxxx series |
Transistor Mounting | Surface Mount |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Datasheet MMBT2222AWT1G
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов