MMBT5401LT3G, Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 руб.
от 10 шт. —
40 руб.
от 100 шт. —
16 руб.
от 1000 шт. —
9.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -500 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 50 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | MMBT5401L |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 150 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
