MMBT5401WT1G, Bipolar Transistors - BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

от 10 шт. — 64 руб.

от 100 шт. — 28 руб.

от 1000 шт. — 19.77 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Номенклатурный номер: 8005371643

Артикул: MMBT5401WT1G

Collector Emitter Voltage Max	150В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	50hFE
DC Усиление Тока hFE	50hFE
Power Dissipation	400мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Частота Перехода ft	300МГц
Вес, г	0.005

pdf, 73 КБ