Мой регион: Россия

MMBT5550LT1G

Ном. номер: 9000400363
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MMBT5550LT1G
Фото 2/3 MMBT5550LT1GФото 3/3 MMBT5550LT1G
19 руб.
7200 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 18 руб.
от 100 шт. — 6.40 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1.30 руб. 3-4 недели, 51000 шт. 3000 шт. 6000 шт.
от 36000 шт. — 1.20 руб.
15.50 руб. 3-4 недели, 20467 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 14 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The MMBT5550LT1G is a NPN high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5550LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.