Мой регион: Россия

MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]

Артикул: MMBT5551LT1G
Ном. номер: 57960
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Фото 2/5 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 3/5 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 4/5 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 5/5 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
4 руб.
6113 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 3 руб.
от 1000 шт. — 2 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 руб.
GP BJT
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5551LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.