Добавить к сравнению Сравнить ()

MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]

Артикул: MMBT5551LT1G
Ном. номер: 57960
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]
Фото 2/3 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]Фото 3/3 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]
Есть в наличии более 800 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
6 × = 6
от 100 шт. — 4 руб.
от 3000 шт. — 1.40 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The MMBT5551LT1G is a NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

• Halogen-free

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5551LT1G
Datasheet MMBT5551LT1G
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов