MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]

Артикул: MMBT5551LT1G
Ном. номер: 57960
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]
Фото 2/5 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]Фото 3/5 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]Фото 4/5 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]Фото 5/5 MMBT5551LT1G, Транзистор, [SOT-23]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
3 руб. × = 3 руб.
от 50 шт. — 2 руб.
от 500 шт. — 1.50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

• Halogen-free

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5551LT1G
Datasheet MMBT5551LT1G