Добавить к сравнению Сравнить ()

MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]

Ном. номер: 57960
Артикул: MMBT5551LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/7 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Фото 2/7 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 3/7 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 4/7 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 5/7 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 6/7 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]Фото 7/7 MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
6 руб.
5655 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 3.90 руб.
от 1000 шт. — 2.60 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. По запросу 1 шт. 3598 шт.
от 6000 шт. — 1.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.

• Halogen-free

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус
Вес, г
0.05

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5551LT1G
Datasheet MMBT5551LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.