Мой регион: Россия

MMBT5551-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 мВт, 600 мА, 80 hFE

Ном. номер: 8201591466
PartNumber: MMBT5551-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/3 MMBT5551-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 мВт, 600 мА, 80 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 MMBT5551-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 мВт, 600 мА, 80 hFEФото 3/3 MMBT5551-7-F, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 300 мВт, 600 мА, 80 hFE
21 руб.
3380 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 100 шт. — 8.40 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. 3 дня, 25100 шт. 100 шт. 100 шт.
от 500 шт. — 0.90 руб.
от 1000 шт. — 0.74 руб.
16.50 руб. 3-4 недели, 3000 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 15.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The MMBT5551-7-F is a NPN small signal Bipolar Transistor offers 600mA continuous collector current and 180V collector-base voltage. It is ideal for low power amplification and switching.

• UL94V-0 Flammability rating
• Epitaxial planar die construction
• MMBT5401 Complementary PNP type
• Halogen-free, Green device
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,2 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1 В
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
180 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1.1мм
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Вес, г
0.363

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5551-7-F
Datasheet MMBT5551-7-F

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.