MMBT5551-7-F, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/5 MMBT5551-7-F, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт.5 руб.
от 24000 шт.3.10 руб.
Добавить в корзину 6000 шт. на сумму 36 000 руб.
Номенклатурный номер: 8000999536
Артикул: MMBT5551-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 0,6А, 300мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
PCB changed 3
Package Height 0.98
Mounting Surface Mount
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.3
Package Length 2.9
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 180
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 160
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1@1mA@10mA|1@5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 50
Minimum DC Current Gain 80@1mA@5V|30@50mA@5V|80@10mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 300
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Pin Count 3
Standard Package Name SOT-23
Military No
Collector-Emitter Breakdown Voltage 160V
Maximum DC Collector Current 600mA
Pd - Power Dissipation 300mW
Transistor Type NPN
Maximum Collector Base Voltage 180 V
Maximum Collector Emitter Voltage 160 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 300 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 180 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 80
DC Current Gain hFE Max: 250
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MMBT5551
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 211 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 485 КБ
Datasheet MMBT5551-7-F
pdf, 116 КБ
Datasheet MMBT5551-7-F
pdf, 193 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов