MMBTA14LT1G

PartNumber: MMBTA14LT1G
Ном. номер: 8543773351
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 MMBTA14LT1G
Фото 2/4 MMBTA14LT1GФото 3/4 MMBTA14LT1GФото 4/4 MMBTA14LT1G
Доступно на заказ 9000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
3 руб. × = 9 000 руб.
Количество товаров должно быть кратно 3000 шт.

Описание

The MMBTA14LT1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
• Saves board space
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

конфигурация
Common Collector
размеры
3.04 x 1.4 x 1.01mm
высота
1.01mm
длина
3.04mm
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
300 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
тип упаковки
SOT-23
Pin Count
3
ширина
1.4mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Minimum DC Current Gain
5000
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

Datasheet MMBTA14LT1G
Datasheet MMBTA14LT1G
MMBTA13L, SMMBTA13L, MMBTA14L, SMMBTA14L, Darlington Amplifier NPN Silicon Transistors