MMBTA14LT1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 300мА, 225мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
7.80 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 160 руб.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
Maximum Collector Cut-off Current | 100nA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum Continuous Collector Current | 300 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 5000 |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов