MMBTA14LT1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 300мА, 225мВт

MMBTA14LT1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 300мА, 225мВт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт.10 руб.
от 300 шт.7.80 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8017536608
Артикул: MMBTA14LT1G

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 30 V
Maximum Collector Cut-off Current 100nA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Maximum Continuous Collector Current 300 mA
Maximum Emitter Base Voltage 10 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 5000
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Width 1.4mm
Вес, г 0.033

Техническая документация

Datasheet
pdf, 188 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов