Мой регион: Россия

MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]

Ном. номер: 10201172
Артикул: MMBTA42LT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]
Фото 2/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]Фото 3/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]Фото 4/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]Фото 5/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]Фото 6/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]Фото 7/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]Фото 8/8 MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]
4 руб.
7871 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 3 руб.
от 1000 шт. — 2.90 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. По запросу 1 шт. 2907 шт.
от 3000 шт. — 1.50 руб.
от 6000 шт. — 1.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес

The MMBTA42LT1G is a 300V NPN silicon high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
• 300VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус
Вес, г
0.05

Дополнительная информация

Datasheet MMBTA42LT1G
Datasheet MMBTA42LT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.