MMBTH10-4LT1G, MMBTH10-4LT1G NPN Digital Transistor, 25 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 руб.

Кратность заказа 3000 шт.

Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 27 000 руб.

Номенклатурный номер: 8014513753

Артикул: MMBTH10-4LT1G

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors

This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT-23 surface mount package.

Maximum Collector Emitter Voltage	25 V
Maximum Emitter Base Voltage	3 V dc
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	800 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMBTH10L
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Вес, г	1