MP001166, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 800 мА, 1.2 Вт, TO-39, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5136 шт., срок 8-10 недель
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
162 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 610 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 40В |
Continuous Collector Current | 800мА |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 1.2Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-39 |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MP001166
pdf, 268 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.