MPIM1000H117TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 1.85 В, 6.25 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
87 470 руб.
от 2 шт. —
83 120 руб.
от 3 шт. —
77 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 87 470 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 1кА |
DC Ток Коллектора | 1кА |
Power Dissipation | 6.25кВт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Количество Выводов | 12вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 6.25кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench) |
Вес, кг | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet MPIM1000H117TG5
pdf, 3468 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.